DBR 的制作过程却是十分困难的。第二种氮化物 VCSEL结构是将上下DBR利用介电质氧化物所取代，这样的DBR 可以提供相当高的反射率和共振腔Q值，亦可有效增加 DBR 的禁止带宽度，然而此种 VCSEL 结构其缺点在于难以准确地控制共振腔的厚度，并且需要雷射剥离（laser lift-off, LLO）技术和相对复杂的制程过程。除此之外，共振腔中氮化镓必须保持一定厚度以上以避免雷射剥离制程时量子井结构受到破坏，较厚的共振腔可能引起阈值电流的增加与微共振腔效应约降低。第三种氮化镓 VCSEL 结构同时使用了磊晶成长与介电质材料的 DBR系统，因此可中和上述两种类型的优点与缺点。

此种混合式 DBR VCSEL 结构通常使用磊晶的方式成长下DBR 与共振腔，如此可以有效控制共振腔的厚度，而上DBR 再利用沉积介电质 DBR 的技术完成垂直共振腔的结构，同时也保留了进一步制作成电激发 VCSEL的弹性。