利用药液进行湿式洗净或湿式蚀刻等处理之后，为了去除残留在晶圆上的药品，势必进行冲洗及干燥。这与一般洗衣服（水洗）的过程是一样的。

冲洗以超纯水进行，而此处洗涤的用水量，占了半导体工厂内超纯水使用量的大部分。

冲洗之后，必须将残留在晶圆表面的水分完全去除。而在此干燥过程中所使用的方法有：利用离心力将水分吹掉的“回旋干燥法”，以及使用干燥氮气等吹拂的方法，利用异丙醇将水分置换的“IPA干燥法”等。

图3-2-1所示的回旋干燥法中，考虑由于氮气会与晶圆产生摩擦，致使晶圆表面带电，而产生静电破坏问题，一般均与电子淋浴器合并使用，以去除静电。

不留水痕的IPA

在干燥制程中需要解决的主要问题有，如何不将水分残留在晶圆上，以及如何将干燥制程或干燥设备产生的颗粒（微尘）、有机物、金属等异物降到最低而不附着在晶圆上，以及最重要的，如何不留下“水痕”。

所谓水痕，指的是由干燥过程中残留在晶圆表面的部份水分，在晶圆上形成的极薄矽氧化物的水合物，或残留的不纯物痕迹。

水痕的产生是由于矽的疏水性，使洗净用超纯水不均残留在矽的露出面或结晶矽膜表面而造成。

为了不留下水痕，使用的干燥法是IPA干燥法。IPA干燥法，如图3-2-2所示，可大致分为三种。

①IPA蒸气干燥法：在IPA蒸气中放入完成冲洗的晶圆，以IPA置换纯水而使之干燥。

②玛兰格尼干燥法：从纯水中将晶圆拉出时，将IPA蒸气与氮气的混合气体平行于晶圆表面吹拂，使纯水能在不被拖曳的状态下干燥。

③旋转移动干燥法：此干燥法组合了回旋干燥法与玛兰格尼干燥法。