切割边缘空间称为切割线

判定为良品的晶圆，将进行背面研磨制程，切削成必要的厚度。口径300mm的晶圆从厚度0.775mm开始，如图3- 6-1所示，背面研磨至0.3mm以下之厚度。这是为了使晶圆容易被分切，同时尽量降低晶片搭载包装的高度，以及降低矽基板的电阻等目的。

接着，晶圆透过切粒（dicing）制程切成一个个晶片。半导体晶片又称为die就是起因于这个动作的名称。又因晶片也称为粒子，故切割的制程又可称为粒子切分；或是由于切割划分的动作，称为划片制程。而切割的装置则称为切粒机。

如图3-6-2所示，在切割制程中，将完成背面研磨制程的晶圆以受到紫外线照射、黏着力即会下降的特珠的UV胶带贴附，使整体固定在框架上。接着，以表面黏有钻石微粒、极薄的圆形刀（钻石锯）将晶圆切割。纵横地配置在晶圆上的晶片之间，有称为划片线的切割边缘空间，宽度约100 um，在制程中此切割边缘空间的矽基板表面裸露，沿着此线进行切割即可。此时的切割精细度，相当于能够将把头发切成十分之一。有的地方使用雷射切割装置。

成为一个个晶片

完成切割之后，使用特殊的治具将UV胶带拉开，被切好的晶片之间会产生空隙，而分离成一个个晶片。此时，以紫外线（UV光）照射晶圆的背面，UV胶带因产生光化学反应而使黏着力降低，使得晶片能够轻易地与胶带分离，处理上也变得容易。

最后，以显微镜对半导体晶片进行外观检验，确认是否有缺陷或损伤，有缺陷的晶片在这个阶段被打掉。另外，在晶圆测试阶段被注记打点为不良品的晶片，也在这里被打掉。如此经过筛选的晶片，将连同着整个框架，运送到下一站制程。